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MJD200G中文资料

MJD200G图片

MJD200G外观图

  • 大小:87.6KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR, RF; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Power Dissipation Pd:1.4W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:65; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Gain Bandwidth ft Typ:65MHz; Package / Case:D-PAK; Power Dissipation Pd:1.4W
  • 标准包装:75
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.8V @ 1A,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):45 @ 2A,1V
  • 功率 - 最大:1.4W
  • 频率 - 转换:65MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:DPAK-3
  • 包装:管件
  • 其它名称:MJD200G-NDMJD200GOS

MJD200G供应商

更新时间:2023-01-10 14:39:35
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