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MJE182G中文资料

MJE182G图片

MJE182G外观图

  • 大小:83KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: POWER TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ ft:50MHz; Power Dissipation Pd:12.5W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain Max (hfe):50 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.7V @ 600mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 100mA,1V
  • 功率 - 最大:12.5W
  • 频率 - 转换:50MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商设备封装:TO225AA
  • 包装:散装
  • 其它名称:MJE182GOS

MJE182G供应商

更新时间:2023-01-08 19:47:12
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