NE85633-T1B-A中文资料
NE85633-T1B-A图片
- 大小：2239KB
- 厂家：
- 描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：RF 晶体管 (BJT)
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：12V
- 频率 - 转换：7GHz
- 噪声系数（dB典型值@频率）：1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
- 增益：9dB
- 功率 - 最大：200mW
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：50 @ 20mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：2SC3356-T1BNE85633B-ATR
NE85633-T1B-A供应商
更新时间:2023-01-26 14:11:36- 供应商
- 产品型号
- 服务标识
- 数量
- 厂商
- 封装/批号
- 说明
- 询价
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NE85633-T1B-A
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3000
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-/13+
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公司现货只做原装
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NE85633-T1B-A
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64000
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NEW/NEW
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一级代理保证
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NE85633-T1B-A
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5000
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SOT23/22+
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原装现货，配单助手
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NE85633-T1B-A
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21455
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SOT23/21+
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原厂原装现货
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NE85633-T1B-A
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18000
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N/A/1808+
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原装正品，亚太区混合型电子元器件分销
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NE85633-T1B-A
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125711
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/22+
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深圳贸泽，最新到货，原厂渠道，只有原装
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NE85633-T1B-A
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26000
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SOT23/24+
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射频半导体
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NE85633-T1B-A
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52701
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SOT23/22+
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只做原装,专注海外现货订购20年
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NE85633-T1B-A
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21455
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SOT23/21+
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原厂原装现货
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NE85633-T1B-A
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12500
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SOT233/24+
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100%原装深圳现货
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NE85633-T1B-A
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21000
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-/13+
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原装 部分现货量大期货
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NE85633-T1B-A
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14850
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SOT23/2022+
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特价现货，没有最低，只有更低
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NE85633-T1B-A
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56899
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SOT23/2020+
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原装正品/假一罚十
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NE85633-T1B-A
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65286
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-/21+
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全新原装现货，长期供应，免费送样
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NE85633-T1B-A
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10800
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SOT23/21+
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一级代理 现货在库
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NE85633-T1B-A
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69000
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SOT23/21+
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原厂原装现货 假一赔十
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NE85633-T1B-A
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1000
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20+/NA
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NE85633-T1B-A
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400
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SOT23/18+
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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NE85633-T1B-A
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63422
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-/2215+
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原装现货，可提供一站式配套服务
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