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IPB80N06S3L-08中文资料

IPB80N06S3L-08图片

IPB80N06S3L-08外观图

  • 大小：155.2KB
  • 厂家：INFINEON [Infineon Technologies AG]
  • 描述：OptiMOS㈢-T Power-Transistor
  • 制造商：Infineon
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：55 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 16 V
  • 漏极连续电流：80 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.6 m Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-263
  • 封装：Reel
  • 下降时间：25 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：105 W
  • 上升时间：35 ns
  • 工厂包装数量：1000
  • 典型关闭延迟时间：39 ns

IPB80N06S3L-08供应商

更新时间:2023-01-19 15:58:22
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