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IPB80N08S2L-07中文资料

IPB80N08S2L-07图片

IPB80N08S2L-07外观图

  • 大小：154.92KB
  • 厂家：INFINEON [Infineon Technologies AG]
  • 描述：OptiMOS㈢ Power-Transistor
  • 数据列表：IPB,IPP80N08S2L-07
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.8 毫欧 @ 80A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：233nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：5400pF @ 25V
  • 功率 - 最大：300W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：PG-TO263-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SP000219051

IPB80N08S2L-07供应商

更新时间:2023-01-16 10:20:26
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