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IRF6795MTR1PBF中文资料

IRF6795MTR1PBF图片

IRF6795MTR1PBF外观图

  • 大小:251.5KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N-CH, 25V, DIRECTFETMX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):1.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:MX; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:DirectFET; Current Id Max:32A; Package / Case:MX; Power Dissipation Pd:2.8W; Pulse Current Idm:250A; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V; V...
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:32A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.8 毫欧 @ 32A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.35V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:53nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:4280pF @ 13V
  • 功率 - 最大:2.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
  • 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF6795MTR1PBFTR

IRF6795MTR1PBF供应商

更新时间:2023-02-09 15:27:57
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