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IRFR430APBF中文资料

IRFR430APBF图片

IRFR430APBF外观图

  • 大小：298.84KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：HEXFET Power MOSFET
  • 数据列表：IRFR430APBF, IRFU430APBF
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.7 欧姆 @ 3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：24nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：490pF @ 25V
  • 功率 - 最大：110W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：D-Pak
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRFR430APBF

IRFR430APBF供应商

更新时间:2023-02-05 14:53:37
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