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LF356H中文资料

  • 大小：2372KB
  • 厂家：
  • 描述：J-FET Amplifier 1 Circuit TO-99-8
  • 制造商：National Semiconductor (TI)
  • 通道数量：1
  • 共模抑制比（最小值）：80 dB
  • 输入补偿电压：10 mV at +/- 15 V
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-99
  • 转换速度：12 V/us at +/- 15 V
  • 关闭：No
  • 最大工作温度：+ 70 C
  • 封装：Bulk
  • 最小工作温度：0 C
  • 工厂包装数量：500
  • 电源电流：10 mA at +/- 15 V
  • 技术：BiFET
  • 电压增益 dB：106.02 dB

LF356H供应商

更新时间:2023-01-09 20:41:41
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