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SI1469DH-T1-E3中文资料

SI1469DH-T1-E3图片

SI1469DH-T1-E3外观图

  • 大小:117.2KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, P, SC-70; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.5V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Base Number:1469; Current Id Max:1.6A; On State Resistance @ Vgs = 2.5V:155mohm; On State Resistance @ Vgs = 4.5V:100mohm; On State resistance @ Vgs = 10V:80mohm; P Channel Gate Charge:5.5nC; Package / Case:SOT-323; Power Dissipation Pd:2.78W; Pulse Current Idm:6.5A; Termina...
  • 数据列表:SI1469DH
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:80 毫欧 @ 2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:8.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:470pF @ 10V
  • 功率 - 最大:2.78W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装:SC-70-6
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI1469DH-T1-E3TR

SI1469DH-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-08 10:26:40
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