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SI4936BDY-T1-E3中文资料

SI4936BDY-T1-E3图片

SI4936BDY-T1-E3外观图

  • 大小:105.1KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, DUAL, N, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:6.9A; Package / Case:SOIC; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Base Number:4936; N-channel Gate Charge:4.5nC; On State Resistance @ Vgs = 4.5V:51mohm; On State resistance @ Vgs = 10V:35mohm; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:3V; ...
  • 数据列表:SI4936BDY
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:35 毫欧 @ 5.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:530pF @ 15V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI4936BDY-T1-E3TR

SI4936BDY-T1-E3供应商

更新时间:2023-02-05 08:18:57
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