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STD12NF06L中文资料

STD12NF06L图片

STD12NF06L外观图

  • 大小：444.44KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 12A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
  • 典型关断延迟时间：20 ns
  • 典型接通延迟时间：10 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：7.5 nC V @ 5
  • 典型输入电容值@Vds：350 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：6.2mm
  • 封装类型：DPAK
  • 尺寸：6.6 x 6.2 x 2.4mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：30 W
  • 最大栅源电压：±16 V
  • 最大漏源电压：60 V
  • 最大漏源电阻值：0.1
  • 最大连续漏极电流：12 A
  • 最高工作温度：+175 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：6.6mm
  • 高度：2.4mm

STD12NF06L供应商

更新时间:2023-01-07 09:41:15
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