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STP55NE06中文资料

  • 大小：120.96KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：60 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：55 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.019 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220
  • 封装：Tube
  • 下降时间：50 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：35 S
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：130 W
  • 上升时间：120 ns
  • 工厂包装数量：50

STP55NE06供应商

更新时间:2023-01-01 10:46:59
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