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              2N7000RLRAG
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2N7000RLRAG

更新时间:2024-11-21 17:52:13
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2N7000RLRAG的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N7000RLRAG外观图

  • 标准包装：2,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：200mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：60pF @ 25V
  • 功率 - 最大：350mW
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
  • 供应商设备封装：TO-92-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：2N7000RLRAGOSTR
2N7000RLRAG 相关信息
  • 2N7000RLRAG的技术参数
    产品型号:2N7000RLRAG源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5000最大漏极电流Id(on)(A):0.200通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-92/-55~150描述:小信号N沟道TO92封装场效应管价格/1片(套):￥.90 来源:xiangxueqin
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