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              2SK536-TB-E
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2SK536-TB-E

更新时间:2024-11-24 07:20:52
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2SK536-TB-E的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SK536-TB-E外观图

  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 欧姆 @ 10mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：15pF @ 10V
  • 功率 - 最大：200mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：3-CP
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：869-1110-6
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