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              VQ2001P-2
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VQ2001P-2

更新时间:2024-11-22 07:00:07
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VQ2001P-2的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

VQ2001P-2外观图

  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：-
  • 包装：管件
  • 产品状态：停产
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 配置：4 个 P 通道
  • FET 功能：-
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：600mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 1A，12V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：150pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：2W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：14-DIP
  • 供应商器件封装：14-DIP
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