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              W25X20VSNIG
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W25X20VSNIG

更新时间:2024-10-27 11:40:18
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W25X20VSNIG 相关资料

  • 其它信息：

    串行闪存，组织结构为2M位/256KB(262144)，每个程序可编程为页256字节，均匀的4KB扇区/64Ks块；单个或双重输出SPI：时钟、芯片选择、数据输入/输出、数据输出，可选择的保持方法；数据传输率达到80Mbit/s，时钟频率40MHz，快速读出双输出指示，自动增强读出能力；4KB扇区的灵活性结构，扇区擦除(4KB)，块擦除(64KB)，分页式程序达到程序256字节小于2ms，100000擦/写周期，掉电数据保持20年；低功耗，电源电压：2.3～3.6V，动态电流：5mA，待机电流1μA(典型值)； 温度范围：0～＋85℃；软件和硬件写保护：写保护全部或部分存储器，WP引脚启用/失效保护，顶部或底部阵列保护

  • 引脚图：

    W25X20VSNIG引脚图

W25X20VSNIG的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

W25X20VSNIG外观图

  • 标准包装：100
  • 类别：集成电路 (IC)
  • 家庭：存储器
  • 系列：SpiFlash®
  • 格式 - 存储器：闪存
  • 存储器类型：FLASH
  • 存储容量：2M (256K x 8)
  • 速度：75MHz
  • 接口：SPI 串行
  • 电源电压：2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度：-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOIC
  • 包装：管件
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