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              AOW10T60P
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AOW10T60P

更新时间:2024-11-04 09:14:55
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NC7SZ157P6XBLF6G21-10GKA3525A74LS04BDX54CLM139DKXTE9-1050DTC115EUA T106
AOW10T60P的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：-
  • 包装：管件
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：700毫欧 @ 5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：40 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1595 pF @ 100 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-262
  • 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
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