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DRA9144V0L

更新时间:2023-06-07 13:20:39

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厂家：
描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 125mW Surface Mount SSMini3-F3-B
数据列表：DRA9144V
标准包装：3,000
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列：-
晶体管类型：PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）：47k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 5mA，10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）：500nA
频率 - 转换：-
功率 - 最大：125mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-89，SOT-490
供应商设备封装：SS-Mini3-F3-B
包装：带卷 (TR)
其它名称：DRA9144V0L-ND

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