这些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小，降低导电和开关损耗，使电源效率更高。

　　器件 　　 

　　其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装，而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。 　　 

　　器件                                 VDS      ID           Rdson @ 10 V     Qg (典型)

• NTD4804N             30 V       117 A          4 mΩ            30 nC
• NTD4805N             30 V       88 A            5 mΩ            20.5 nC
• NTD4806N             30 V       76 A            6 mΩ            15 nC
• NTD4808N             30 V       63 A            8 mΩ            11.3 nC
• NTD4809N             30 V       58 A            9 mΩ           10.7 nC
• NTD4810N             30 V       54 A            10 mΩ          9 nC
• NTD4813N             30 V       40 A        & nbsp;   13 mΩ          6.9 nC
• NTD4815N             30 V       35 A            15 mΩ          6 nC

　　其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引脚封装– 带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批量预算单价在0.71至0.91美元之间。

       器件                     VDS      ID                 Rdson @ 10 V     Qg (典型)

•  NTMFS4833N       30 V       191 A            2 mΩ            39 nC
•  NTMFS4834N       30 V       130 A            3 mΩ            33 nC
• NTMFS4835N       30 V       104 A            3.5 mΩ         25 nC
• NTMFS4836N       30 V       90 A              4 mΩ            19.1 nC
• NTMFS4837N       30 V       74 A              5 mΩ           14.2 nC
• NTMFS4839N       30 V       66 A              6 mΩ            12 nC
• NTMFS4841N       30 V       57 A              7 mΩ            11.9 nC
• NTMFS4741N       30 V       67 A              8 mΩ            15 nC  
• NTMFS4744N       30 V       53 A              10 mΩ          10 nC
• NTMFS4747N       30 V       44 A              13 mΩ          12 nC