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IPL60R199CP

更新时间:2024-11-22 02:40:38
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    IPL60R199CP
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  • 数据列表:IPL60R199CP
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:CoolMOS™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:16.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:199 毫欧 @ 9.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3.5V @ 1.1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:32nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1520pF @ 100V
  • 功率 - 最大:139W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:4-TSFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装:PG-VSON-4
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IPL60R199CPAUMA1SP000841892
IPL60R199CP 相关信息
  • 用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK
    ...栅极信号。因此,ThinPAK 8x8封装可使功率MOSFET实现更快速、高效的开关,更轻松地处理开关行为和电磁干扰。 初期,英飞凌将推出三款采用这种新封装的600V CoolMOS™ 器件:199毫欧(IPL60R199CP)、299毫欧(IPL60R299CP)和385毫欧(IPL60R385CP)。 供货 采用ThinPAK 8x8封装的新器件样品目前已开始提供。量产时间可根据从订货到交货的标准周期确定。

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