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IPW50R299CP

更新时间:2024-11-16 16:39:59
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IPW50R299CP外观图

  • 数据列表：IPW50R299CP
  • 产品培训模块：CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装：240
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：CoolMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：550V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：299 毫欧 @ 6.6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 440µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1190pF @ 100V
  • 功率 - 最大：104W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：PG-TO247-3
  • 包装：管件
  • 其它名称：SP000301163
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