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IRGP30B120KD-E

更新时间:2024-11-24 05:30:15
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IRGP30B120KD-E 相关信息
  • “单正向”栅驱动IGBT简化驱动电路
    ...部的本征JFET引起的。如果JFET的影响可以最小化，C和C可随着VCE的提高而很快下降。这可能减小实际的CRES，即减小dV/dt感生开通对IGBT的影响。 图3 需负偏置关断的典型IGBT的寄生电容与V的关系。 IRGP30B120KD-E是一个备较小C和经改良JFET的典型IGBT。这是一个1200V，30A NPT IGBT。它是一个Co-Pack器件，与一个反并联超快软恢复二极管共同配置于TO-247封装。 设计人员可减小多晶体栅极宽度...
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