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              IRF640
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IRF640

更新时间:2024-11-20 21:38:18
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  • 深圳市捷力华电子科技有限公司

  • IRF640NPBF

    IRF640NPBF
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IRF640 相关资料

  • 其它信息：

    18.0A/200V

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IRF640外观图

  • 大小：178.23KB
  • 厂家：
  • 描述：HEXFET? Power MOSFET
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：MESH OVERLAY™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大：125W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：497-2759-5
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