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              IRF7473TRPBF
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IRF7473TRPBF

更新时间:2024-11-22 05:38:44
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IRF7473TRPBF的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IRF7473TRPBF外观图

  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.9A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：26 毫欧 @ 4.1A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：61nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：3180pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SO
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF7473PBFTRIRF7473TRPBF-NDIRF7473TRPBFTR-ND
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