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              IRF7488PBF
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IRF7488PBF

更新时间:2024-11-23 00:40:56
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IRF7488PBF的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IRF7488PBF外观图

  • 典型关断延迟时间：44 ns
  • 典型接通延迟时间：13 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：38 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：1680 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：4mm
  • 封装类型：SOIC
  • 尺寸：5 x 4 x 1.5mm
  • 引脚数目：8
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：2.5 W
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：80 V
  • 最大漏源电阻值：0.029
  • 最大连续漏极电流：6.3 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：四漏极、单、三源
  • 长度：5mm
  • 高度：1.5mm
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