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              IRFI530G
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IRFI530G

更新时间:2024-11-25 03:31:30
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  • 其它信息：

    9.7A/100V

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IRFI530G外观图

  • 大小：171.74KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：HEXFET POWER MOSFET
  • 数据列表：IRFI530G
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：160 毫欧 @ 5.8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：33nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：670pF @ 25V
  • 功率 - 最大：42W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
  • 供应商设备封装：TO-220-3
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRFI530G
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