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              IRFP150NPBF
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IRFP150NPBF

更新时间:2024-11-21 16:27:43
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IRFP150NPBF外观图

  • 大小：180.9KB
  • 厂家：International Rectifier
  • 描述： MOSFET, N, 100V, 39A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:39A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):36mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:42A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.1°C/W; Lead Spacing:5.45mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:140A; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:; Voltage Vds...
  • 标准包装：25
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：42A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：36 毫欧 @ 23A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1900pF @ 25V
  • 功率 - 最大：160W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：TO-247AC
  • 包装：散装
  • 其它名称：*IRFP150NPBF
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  • IRFP150P[相关信息]...等）、铝散热器、PCB板紧密结合后，密封性能极佳，能达到防尘、防水、导热、绝缘的理想效果，并能适应高温、高压、多尘的恶劣工作环境，提高设备运行的安全性和稳定性。文中分析了陶瓷垫片的性能特点，并对它在电源产品应用中的安规、工艺、结构等设计进行了探讨，最后给出了它在电子负载（模块电源高温老化专用负载）上的应用。 2、陶瓷垫片的性能特点 陶瓷垫片有以下特点： ⑴陶瓷垫片导...IRFP150PBF[技术参数]数据列表：IRFP150 标准包装：500 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 单 系列：- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物IRFP15N60LPBF[技术参数]标准包装：500 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 单 系列：- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准型IRFP17N50L[技术参数]数据列表：IRFP17N50L 标准包装：500 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 单 系列：- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 IRFP150R119 IRFP150R4941 IRFP150V IRFP150VPBF IRFP151 IRFP151F1 IRFP151FI IRFP151P IRFP152 IRFP152F1 IRFP152FI IRFP152P IRFP153 IRFP153F1 IRFP153FI IRFP153P IRFP15N60L IRFP1604
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