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              IXFX32N50
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IXFX32N50

更新时间:2024-11-18 15:52:54
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IXFX32N50的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IXFX32N50外观图

  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HiPerFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：32A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 15A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：300nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：5450pF @ 25V
  • 功率 - 最大：360W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：PLUS247?-3
  • 包装：管件
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