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              IXTA2R4N120P
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IXTA2R4N120P

更新时间:2024-11-19 16:54:37
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IXTA2R4N120P的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IXTA2R4N120P外观图

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：Polar™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.5 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：37nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1207pF @ 25V
  • 功率 - 最大：125W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：TO-263
  • 包装：管件
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