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              IXXN110N65C4H1
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IXXN110N65C4H1

更新时间:2024-11-04 00:32:35
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IXXN110N65C4H1外观图

  • 大小：212KB
  • 厂家：
  • 描述：IGBT 650V 210A 750W SOT227B
  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：1 : ￥256.15000管件
  • 系列：XPT?, GenX4?
  • 包装：管件
  • 产品状态：在售
  • IGBT 类型：PT
  • 配置：单路
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：210 A
  • 功率 - 最大值：750 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.35V @ 15V，110A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：50 μA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)：3.69 nF @ 25 V
  • 输入：标准
  • NTC 热敏电阻：无
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商器件封装：SOT-227B
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