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              KSD2012YTU
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KSD2012YTU

更新时间:2024-10-20 06:08:02
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KSD2012YTU的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

KSD2012YTU外观图

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 200mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 500mA，5V
  • 功率 - 最大：25W
  • 频率 - 转换：3MHz
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装：TO-220F
  • 包装：管件
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