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              MJ11033G
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MJ11033G

更新时间:2024-11-24 06:19:34
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MJ11033G外观图

  • 大小：116.1KB
  • 厂家：ON Semiconductor
  • 描述： Bipolar Transistor; Transistor Type:Darlington; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:120V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.5V; DC Current Gain Min (hfe):1000; Package/Case:TO-204 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装：100
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：50A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：120V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3.5V @ 500mA，50A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：2mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：1000 @ 25A，5V
  • 功率 - 最大：300W
  • 频率 - 转换：-
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-204AE
  • 供应商设备封装：TO-3
  • 包装：托盘
  • 其它名称：MJ11033GOS
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