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              MMBFJ110
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MMBFJ110

更新时间:2024-11-22 01:39:10
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MMBFJ110的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：JFET（结点场效应
  • 系列：-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：10mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)：-
  • 漏极电流 (Id) - 最大：-
  • FET 型：N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25V
  • 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：4V @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 电阻 - RDS（开）：18 欧姆
  • 安装类型：表面贴装
  • 包装：带卷 (TR)
  • 封装/外壳：3-SMD，鸥翼型
  • 供应商设备封装：SuperSOT-3
  • 功率 - 最大：460mW
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