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              MMBFJ175LT1
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MMBFJ175LT1

更新时间:2024-11-22 21:21:11
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MMBFJ175LT1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

MMBFJ175LT1外观图

  • 标准包装：10
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：JFET（结点场效应
  • 系列：-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：7mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)：-
  • 漏极电流 (Id) - 最大：-
  • FET 型：P 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30V
  • 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：3V @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：11pF @ 10V（VGS）
  • 电阻 - RDS（开）：125 欧姆
  • 安装类型：表面贴装
  • 包装：剪切带 (CT)
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 功率 - 最大：225mW
  • 其它名称：MMBFJ175LT1OSCT
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