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              MMBT200
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MMBT200

更新时间:2024-11-20 19:32:55
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MMBT200 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：IC=500mA
    电压参数：UCEO=45V/UCBO=75V/UEBO=6V
    功   率：PD=350mW
    其他参数：fT=250MHz
    极   性：PNP

MMBT200的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

MMBT200外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 20mA，200mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：50nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 150mA，5V
  • 功率 - 最大：350mW
  • 频率 - 转换：250MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMBT200-NDMMBT200TR
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