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              MMBT3906LT1G
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MMBT3906LT1G

更新时间:2024-11-22 04:05:22
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MMBT3906LT1G外观图

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  • 厂家：
  • 描述：? Semiconductor Components Industries, LLC, 2004 February, 2004 ? Rev. 4 1 Publication Order Number: MMBT3906LT1/D MMBT3906LT1 Preferred Device General Purpose Transistor PNP Silicon Features ? Pb?Free Packages are Available MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector?Emitter Voltage V CEO ?40 Vdc Collector?Base Voltage V CBO ?40 Vdc Emitter?Base Voltage V EBO ?5.0 Vdc Collector Current ? Continuous I C ?200 mAdc THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Max Unit Total Device Dissipation FR?5 Board (Note 1) T A = 25°C Derate above 25°C P D 225 1.8 mW mW/°C Thermal Resistance Junction to Ambient R JA 556 °C/W Total Device Dissipation Alumina Substrate, (Note 2) T A = 25°C Derate above 25°C P D 300 2.4 mW mW/°C Thermal Resistance Junction?to?Ambient R JA 417 °C/W Junction and Storage Temperature T J , T stg ?55 to +150 °C 1. FR?5 = 1.0  0.75  0.062 in. 2. Alumina = 0.4  0.3  0.024 in. 99.5% alumina. http://onsemi.com Preferred devices are recommended choices for futu
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 10mA，1V
  • 功率 - 最大：225mW
  • 频率 - 转换：250MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMBT3906LT1GOSMMBT3906LT1GOS-NDMMBT3906LT1GOSTR
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