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              MTD10N10ELT4
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MTD10N10ELT4

更新时间:2024-11-21 12:40:23
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MTD10N10ELT4的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

MTD10N10ELT4外观图

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：220 毫欧 @ 5A，5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：15nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1040pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1.75W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：DPAK-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MTD10N10ELT4OSTR
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