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              MTM761100LBF
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MTM761100LBF

更新时间:2024-11-03 23:13:16
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MTM761100LBF的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

MTM761100LBF外观图

  • 数据列表：MTM761100LBF View all Specifications
  • 产品培训模块：MOSFETs for Power Management
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：42 毫欧 @ 1A，4V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1200pF @ 10V
  • 功率 - 最大：700mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：WS迷你型6-F1
  • 供应商设备封装：WS迷你型6-F1-B
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MTM761100LBFTR
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