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              NE4210S01-T1B
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NE4210S01-T1B

更新时间:2024-11-16 04:25:24
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NE4210S01-T1B的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NE4210S01-T1B外观图

  • 制造商：CEL
  • 产品种类：射频GaAs晶体管
  • 技术类型：HEMT
  • 频率：12 GHz
  • 增益：13 dB
  • 噪声系数：0.5 dB
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：55 mS
  • 漏源电压 VDS：4 V
  • 闸/源击穿电压：- 3 V
  • 漏极连续电流：70 mA
  • 最大工作温度：+ 125 C
  • 功率耗散：165 mW
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：S0-1
  • 封装：Reel
  • 工厂包装数量：4000
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