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              NSS40301MDR2G
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NSS40301MDR2G

更新时间:2024-11-21 17:38:01
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NSS40301MDR2G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NSS40301MDR2G外观图

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 NPN（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：115mV @ 200mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：180 @ 1A，2V
  • 功率 - 最大：653mW
  • 频率 - 转换：100MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOICN
  • 包装：带卷 (TR)
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