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              NTMD6N02R2G
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NTMD6N02R2G

更新时间:2024-11-16 12:49:53
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NTMD6N02R2G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NTMD6N02R2G外观图

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.92A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：35 毫欧 @ 6A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1100pF @ 16V
  • 功率 - 最大：730mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOICN
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NTMD6N02R2GOSNTMD6N02R2GOS-NDNTMD6N02R2GOSTR
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