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              NTMFS4935NT1G
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NTMFS4935NT1G

更新时间:2024-11-22 11:29:43
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NTMFS4935NT1G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NTMFS4935NT1G外观图

  • 标准包装：1,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：13A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.2 毫欧 @ 30A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：49.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：4850pF @ 15V
  • 功率 - 最大：930mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）
  • 供应商设备封装：6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NTMFS4935NT1G-NDNTMFS4935NT1GOSTR
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