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NTMS4177PR2G

更新时间:2024-11-21 18:02:02
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NTMS4177PR2G外观图

  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:12 毫欧 @ 11.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:29nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:3100pF @ 24V
  • 功率 - 最大:840mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)

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