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NTR4171PT1G

更新时间:2024-11-24 05:24:57
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NTR4171PT1G外观图

  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:15.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:720pF @ 15V
  • 功率 - 最大:480mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTR4171PT1G-NDNTR4171PT1GOSTR
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