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R6009ENX

更新时间:2024-11-23 07:34:32
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  • 大小:2493KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  • 现有数量:397现货
  • 价格:1 : ¥28.22000散装
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):535 毫欧 @ 2.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):23 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):430 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):40W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220FM
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包

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