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              RQ3E120GNTB
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RQ3E120GNTB

更新时间:2024-11-25 02:50:02
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RQ3E120GNTB外观图

  • 大小：2499KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
  • 现有数量：4,907现货
  • 价格：1 : ￥4.13000剪切带（CT）3,000 : ￥1.47497卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.8 毫欧 @ 12A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：590 pF @ 15 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2W（Ta），16W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：8-HSMT（3.2x3）
  • 封装/外壳：8-PowerVDFN
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