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              RQ1A070ZPTR
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RQ1A070ZPTR

更新时间:2024-11-13 06:58:18
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RQ1A070ZPTR外观图

  • 大小：2524KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12 毫欧 @ 7A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：58nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：7400pF @ 6V
  • 功率 - 最大：1.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SMD
  • 供应商设备封装：TSMT8
  • 包装：带卷 (TR)
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