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              SI6562DQ-T1-E3
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SI6562DQ-T1-E3

更新时间:2024-11-08 00:26:08
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SI6562DQ-T1-E3的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SI6562DQ-T1-E3外观图

  • 数据列表：SI6562DQ
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：N 和 P 沟道
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.5A，3.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 4.5A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：600mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：25nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-TSSOP
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI6562DQ-T1-E3TR
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