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              SI8413DB-T1-E1
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SI8413DB-T1-E1

更新时间:2024-11-22 22:07:04
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SI8413DB-T1-E1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SI8413DB-T1-E1外观图

  • 数据列表：SI8413DB
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：48 毫欧 @ 1A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：21nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：1.47W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：4-XFBGA，CSPBGA
  • 供应商设备封装：4-Microfoot
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI8413DB-T1-E1TRSI8413DB-T1-E3
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