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              SIRA16DP-T1-GE3
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SIRA16DP-T1-GE3

更新时间:2024-11-23 16:45:32
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SIRA16DP-T1-GE3外观图

  • 大小：396KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：6,000 : ￥1.78050卷带（TR）
  • 系列：TrenchFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.8 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：47 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：+20V，-16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2060 pF @ 15 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：PowerPAK? SO-8
  • 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
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